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特許情報


発明の名称
窒化物半導体の製造方法 
発明者
青柳克信, 川崎宏治, 武内　道一(, 木下　亨.  
種別
特許 
状態
登録 
出願人
国立大学法人東京工業大学, 独立行政法人理化学研究所, 株式会社トクヤマ.  
出願日
2005/03/28
出願番号
特願2005-090952
公開日
2006/10/12
公開番号
特開2006-278402
登録日
2010/07/09
登録番号
特許第4544628号

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