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特許情報


発明の名称
半導体装置とゲート酸化膜の製造方法 
発明者
徳光永輔, 日野　史郎, 三浦　成久, 尾関　龍夫.  
種別
特許 
状態
公開 
出願人
国立大学法人東京工業大学, 三菱電機株式会社.  
出願日
2005/06/28
出願番号
特願2005-188347
公開日
2007/01/18
公開番号
特開2007-012684

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