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特許情報


発明の名称
AlGaN系深紫外発光素子およびその製造方法 
発明者
川崎 宏治, 青柳克信, 細野秀雄.  
種別
特許 
状態
公開 
出願人
国立大学法人東京工業大学.  
出願日
2005/03/28
出願番号
特願2005-093028
公開日
2006/10/12
公開番号
特開2006-278554

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