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特許情報


発明の名称
アモルファス酸化物半導体を活性層とした薄膜トランジスタ構造とその製造方法 
発明者
細野秀雄, 野村研二, 神谷利夫.  
種別
特許 
状態
登録 
出願人
国立大学法人東京工業大学.  
出願日
2012/07/03
出願番号
特願2012-149286
公開日
2014/01/20
公開番号
特開2014-011425
登録日
2016/06/10
登録番号
特許第5946130号

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