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特許情報


発明の名称
水素侵入電位予測方法 
発明者
多田英司, 西方篤, 藤本　憲宏, 齋藤　博之, 澤田　孝.  
種別
特許 
状態
登録 
出願人
国立大学法人東京工業大学, 日本電信電話株式会社.  
出願日
2013/08/01
出願番号
特願2013-160152
公開日
2015/02/16
公開番号
特開2015-031554
登録日
2016/09/09
登録番号
特許第5999772号

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