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特許情報


発明の名称
ハーフメタル強磁性体接合構造、これを用いた５層磁気トンネル接合素子、及び磁気メモリ装置  
発明者
中川茂樹, 史蹟, 高村陽太.  
種別
特許 
状態
登録 
出願人
国立大学法人東京工業大学.  
出願日
2014/09/18
出願番号
特願2014-189666
公開日
2016/04/25
公開番号
特開2016-063062
登録日
2018/06/22
登録番号
特許第6355162号

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