InP hot-electron transistors with emitter mesa fabricated between gate electrodes for reduction in emitter-gate gate-leakage current

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	InP hot-electron transistors with emitter mesa fabricated between gate electrodes for reduction in emitter-gate gate-leakage current

著者

和文:	Katsuhiko Takeuchi, Hiroshi Maeda1, Ryo Nakagawa1, Yasuyuki Miyamoto, Kazuhito Furuya.
英文:	Katsuhiko Takeuchi, Hiroshi Maeda1, Ryo Nakagawa1, Yasuyuki Miyamoto, Kazuhito Furuya.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Jpn. J. Appl. Phys.

巻, 号, ページ

Vol. 43 No. 2A pp. L183-L186

出版年月

2004年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
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