(Bi,Nd)<sub>4</sub>Ti<sub>3</sub>O<sub>12</sub>/HfO<sub>2</sub>/Si構造を用いたMFIS-FETの多値メモリ化の検討 | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	(Bi,Nd)₄Ti₃O₁₂/HfO₂/Si構造を用いたMFIS-FETの多値メモリ化の検討
英文:

著者

和文:	田渕良志明, 長谷川聡史, 田村哲朗, 鉾宏真, 加藤一実, 有本由弘, 石原宏.
英文:	田渕良志明, 長谷川聡史, 田村哲朗, 鉾宏真, 加藤一実, 有本由弘, 石原宏.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	2005年（平成17年）秋季第66回応用物理学会学術講演会
英文:

巻, 号, ページ

Vol. 9a-L-7

出版年月

2005年9月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:	徳島大学
英文:

©2007 Institute of Science Tokyo All rights reserved.