Thirty-day-long data retention in ferroelectric-gate field-effect transistors with HfO<sub>2</sub> buffer layers

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Thirty-day-long data retention in ferroelectric-gate field-effect transistors with HfO₂ buffer layers

著者

和文:	K.Takahashi, K.Aizawa, B-E.Park, H.Ishiwara.
英文:	K.Takahashi, K.Aizawa, B-E.Park, H.Ishiwara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Jpn. J. Appl. Phys.

巻, 号, ページ

Vol. 44, Part 1 No. 8 pp. 6218-6220

出版年月

2005年8月

出版者

和文:
英文:

会議名称

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英文:

開催地

和文:
英文: