Home >

news ヘルプ

論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Improvement of data readout disturbance effect in 1T2C-type ferroelectric memory 
著者
和文: H-S.Kim, S.Yamamoto, H.Ishiwara.  
英文: H-S.Kim, S.Yamamoto, H.Ishiwara.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Integrated Ferroelectrics 
巻, 号, ページ Vol. 67        pp. 271-280
出版年月 2005年 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文: 
開催地
和文: 
英文: 
DOI https://doi.org/10.1080/10584580490899370

©2007 Institute of Science Tokyo All rights reserved.