Ferroelectric-gate field effect transistors using (Y,Yb)MnO3/Y2O3/Si(111) structures for 1T-type FeRAMs

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Ferroelectric-gate field effect transistors using (Y,Yb)MnO₃/Y₂O₃/Si(111) structures for 1T-type FeRAMs

著者

和文:	K.Aizawa, S.Kobayashi, H.Ishiwara, K.Suzuki, K.Kato.
英文:	K.Aizawa, S.Kobayashi, H.Ishiwara, K.Suzuki, K.Kato.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Integrated Ferroelectrics

巻, 号, ページ

Vol. 65 pp. 169-174

出版年月

2005年

出版者

和文:
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会議名称

和文:
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開催地

和文:
英文: