歪みを考慮したNEMSメモリデバイスの高精度スイッチング動作解析

論文・著書情報

タイトル

和文:	歪みを考慮したNEMSメモリデバイスの高精度スイッチング動作解析
英文:	High precision analysis considering strain of the switching operation of the NEMS memory device

著者

和文:	永見　佑, 百々信幸, 土屋良重, 斎藤慎一, 新井　唯, 嶋田壽一, 水田　博, 小田俊理.
英文:	T.Nagami, N.Momo, Y. Tsuchiya, S.Saito, T.Arai, T.Shimada, H. Mizuta, S. Oda.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	第52回応用物理学関係連合講演会
英文:	Extended Abstracts (The 52nd Spring Meeting, 2005); The Japan Society of Applied Physics and Related Societies

巻, 号, ページ

Vol. 1a-P6-23

出版年月

2005年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:	さいたま
英文: