MC simulation and fabrication of ultrafast transistor using ballistic electron in intrinsic semiconductor

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	MC simulation and fabrication of ultrafast transistor using ballistic electron in intrinsic semiconductor

著者

和文:	K. Furuya, N. Machida, R. Nakagawa, I. Kashima, M. Ishida, Y.Miyamoto.
英文:	K. Furuya, N. Machida, R. Nakagawa, I. Kashima, M. Ishida, Y.Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Int. Conf. New Phenomena in Mesoscopic Systems and Surfaces and Interfaces of Mesoscopic Devices

巻, 号, ページ

Vol. P30

出版年月

2005年11月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	Int. Conf. New Phenomena in Mesoscopic Systems and Surfaces and Interfaces of Mesoscopic Devices

開催地

和文:
英文:	Hawaii, USA