New growth procedure of buffer layers for high-quality AlxGa1-xN (x=0.35) by low-pressure MOCVD

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	New growth procedure of buffer layers for high-quality AlxGa1-xN (x=0.35) by low-pressure MOCVD

著者

和文:	M. Takeuchi, S. Hayakawa, T. Kinoshita, K. Kawasaki, Y. Aoyagi.
英文:	M. Takeuchi, S. Hayakawa, T. Kinoshita, K. Kawasaki, Y. Aoyagi.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

pp. Th-P-024

出版年月

2005年8月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	6th Inter. Conf. on Nitride Semiconductors

開催地

和文:
英文:	Bremen, Germany