Two-step Annealing of GaN Buffer layers for High-quality AlxGa1-xN (x=0.35) by Low-pressure MOCVD

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Two-step Annealing of GaN Buffer layers for High-quality AlxGa1-xN (x=0.35) by Low-pressure MOCVD

著者

和文:	Misaichi Takeuchi, Shigenori Hayakawa, Ryo Kajitani, Toru Kinoshita, Koji Kawasaki, Kazuya Takada, Yoshinobu Aoyagi.
英文:	Misaichi Takeuchi, Shigenori Hayakawa, Ryo Kajitani, Toru Kinoshita, Koji Kawasaki, Kazuya Takada, Yoshinobu Aoyagi.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

pp. FF27.4

出版年月

2005年11月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2005 Fall Meeting of Material Research Society

開催地

和文:
英文:	Boston, MA, USA