Fabrication of GaN-based nanostructure devices by combination of dry and wet etching

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Fabrication of GaN-based nanostructure devices by combination of dry and wet etching

著者

和文:	M. Itoh, T. Kinoshita, C. Koike, M. Takeuchi, K. Kawasaki, Y. Aoyagi.
英文:	M. Itoh, T. Kinoshita, C. Koike, M. Takeuchi, K. Kawasaki, Y. Aoyagi.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

pp. Tu-P-051

出版年月

2005年8月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	6th International Conference on Nitride Semiconductors

開催地

和文:
英文:	Bremen, Germany