Analysis of short-channel Schottky source/drain metal-oxide-semiconductor field-effect transistor on silicon-on-insulator substrate and demonstration of sub-50nm n-type  devices with metal gate

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Analysis of short-channel Schottky source/drain metal-oxide-semiconductor field-effect transistor on silicon-on-insulator substrate and demonstration of sub-50nm n-type devices with metal gate

著者

和文:	W.Saitoh, A.Itoh, S.Yamagami, M.Asada.
英文:	W.Saitoh, A.Itoh, S.Yamagami, M.Asada.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Japan.J.Appl.Phys.

巻, 号, ページ

Vol. 38 No. 11 pp. 6226-6231

出版年月

1999年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
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