Optimization of buffer layers and device structures in ferroelectric-gate FETs

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Optimization of buffer layers and device structures in ferroelectric-gate FETs

著者

和文:	H.Ishiwara, E.Tokumitsu, G.Fujii.
英文:	H.Ishiwara, E.Tokumitsu, G.Fujii.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Ext. Abstracts of 9th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics

巻, 号, ページ

pp. 219

出版年月

1999年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
英文: