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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Nonvolatile ferroelectric-gate FETs using SrBi2Ta2O6/Pt/SrTa2O6/SiON/Si structures（共著） 
著者
和文: E. Tokumitsu, G. Fujii, H. Ishiwara.  
英文: E. Tokumitsu, G. Fujii, H. Ishiwara.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Appl. Phys. Lett. 
巻, 号, ページ Vol. 75    No. 4    pp. 575-577
出版年月 1999年 
出版者
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会議名称
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開催地
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