Sacrificial Oxidation Techniques of Top Si Layer to Reduce Source-to-Drein Leakage Current in 0.25-μm MOSFETs/SIMOX

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Sacrificial Oxidation Techniques of Top Si Layer to Reduce Source-to-Drein Leakage Current in 0.25-μm MOSFETs/SIMOX

著者

和文:	s.Nakashima, T. Ohono, S. Nakamura, T. Ueki, T. Tsuchiya, T. Takeda, Tetsushi Sakai.
英文:	s.Nakashima, T. Ohono, S. Nakamura, T. Ueki, T. Tsuchiya, T. Takeda, Tetsushi Sakai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	proceedings 1996 IEEE International SOI Conference

巻, 号, ページ

pp. 124-125

出版年月

1996年

出版者

和文:
英文:

会議名称

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英文:

開催地

和文:
英文: