The Effect of Nitorogen in P+ Polysilicon Gates on Boron Penetration into Silicon Substrate through the Gate Oxide

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	The Effect of Nitorogen in P+ Polysilicon Gates on Boron Penetration into Silicon Substrate through the Gate Oxide

著者

和文:	Satoshi Nakayama, Tetsushi Sakai.
英文:	Satoshi Nakayama, Tetsushi Sakai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Symposium on VLSI Tech. Dig. Tech. Papers

巻, 号, ページ

pp. 223-229

出版年月

1996年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
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開催地

和文:
英文: