Fabrication and Characterization of a Quarter Micron Gate CMOS Using Ultra-thin Si Film(30nm) on SIMOX Substrates

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Fabrication and Characterization of a Quarter Micron Gate CMOS Using Ultra-thin Si Film(30nm) on SIMOX Substrates

著者

和文:	H. Miki, Y. Omura, T. Ohmameda, M. Kumon, K. Asada, T. Sugano, K. Izumi, Tetsushi Sakai.
英文:	H. Miki, Y. Omura, T. Ohmameda, M. Kumon, K. Asada, T. Sugano, K. Izumi, Tetsushi Sakai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	International Electron Devices Meeting

巻, 号, ページ

pp. 906-908

出版年月

1989年

出版者

和文:
英文:

会議名称

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開催地

和文:
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