Electrical properties of MFIS- and MFMIS-FETs using ferroelectric SrBi2Ta2O9 film and SrTa2O6/SiON buffer layer

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Electrical properties of MFIS- and MFMIS-FETs using ferroelectric SrBi₂Ta₂O₉ film and SrTa₂O₆/SiON buffer layer

著者

和文:	E. Tokumitsu, G. Fujii, H. Ishiwara.
英文:	E. Tokumitsu, G. Fujii, H. Ishiwara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Ext. Abstructs of Intern. Conf. on Solid State Devices and Materials

巻, 号, ページ

No. C-10-2 pp. 404-405

出版年月

1999年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
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