25nm pitch GaInAs/InP buried structure by calixarene resist

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	25nm pitch GaInAs/InP buried structure by calixarene resist

著者

和文:	A. Kokubo, T. Hattori, H. Hongo, M. Suhara, Y. Miyamoto, K. Furuya.
英文:	A. Kokubo, T. Hattori, H. Hongo, M. Suhara, Y. Miyamoto, K. Furuya.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Jpn. J. Appl. Phys.

巻, 号, ページ

Vol. 37 No. 7A pp. L827-L829

出版年月

1998年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
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開催地

和文:
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