Improvement of memory retention characteristics in ferroelectric neuron circuits using Pt/SrBi2Ta2O9/Pt/Ti/SiO2/Si structure-field effect transistor as a synapse device

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Improvement of memory retention characteristics in ferroelectric neuron circuits using Pt/SrBi₂Ta₂O₉/Pt/Ti/SiO₂/Si structure-field effect transistor as a synapse device

著者

和文:	S-M. Yoon, E. Tokumitsu, H. Ishiwara.
英文:	S-M. Yoon, E. Tokumitsu, H. Ishiwara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Jpn. J. Appl. Phys.

巻, 号, ページ

Vol. 39 No. 4B pp. 2119-2124

出版年月

2000年

出版者

和文:
英文:

会議名称

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開催地

和文:
英文: