MBE法を用いた強誘電体YMnO<sub>3</sub>薄膜のSi(111)基板上への成長と強誘電体ゲートトランジスタへの応用 | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	MBE法を用いた強誘電体YMnO₃薄膜のSi(111)基板上への成長と強誘電体ゲートトランジスタへの応用
英文:

著者

和文:	今田将吾, 徳光永輔, 石原宏.
英文:	今田将吾, 徳光永輔, 石原宏.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	電子情報通信学会、信学技報
英文:

巻, 号, ページ

No. ED99-328 pp. (SDM99-221),13-18

出版年月

2000年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文:

©2007 Institute of Science Tokyo All rights reserved.