SrBi<sub>2</sub>Ta<sub>2</sub>O<sub>9</sub>とSrTa<sub>2</sub>O<sub>6</sub>/SiONバッファ層を用いた強誘電体ゲートFETデバイスパラメータの最適化 | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	SrBi₂Ta₂O₉とSrTa₂O₆/SiONバッファ層を用いた強誘電体ゲートFETデバイスパラメータの最適化
英文:

著者

和文:	徳光永輔, 岡本浩次郎, 石原宏.
英文:	徳光永輔, 岡本浩次郎, 石原宏.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	電子情報通信学会、信学技報
英文:

巻, 号, ページ

No. ED2000-67 pp. 37-42

出版年月

2000年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

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英文:

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