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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:A novel FET-type ferroelectric memory with excellent data retention characteristics 
著者
和文: S-M. Yoon, H. Ishiwara.  
英文: S-M. Yoon, H. Ishiwara.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Technical Digest of Intern. Electron Devices Meeting 
巻, 号, ページ     No. 13-6    pp. 317-320
出版年月 2000年 
出版者
和文: 
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会議名称
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開催地
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英文: 

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