Home >

news ヘルプ

論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Electron transport in a single silicon quantum dot structure using a vertical silicon probe 
著者
和文: K. Nishiguchi, S. Oda.  
英文: K. Nishiguchi, S. Oda.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:IEEE Device Research Conference, Denver 
巻, 号, ページ         pp. 79-80
出版年月 2000年 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文: 
開催地
和文: 
英文: 

©2007 Institute of Science Tokyo All rights reserved.