Two-Gate Transistor for the Study of Si/SiO2 Interface in SOI Nano-Channel and Nanocrystalline Si memory Device

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Two-Gate Transistor for the Study of Si/SiO2 Interface in SOI Nano-Channel and Nanocrystalline Si memory Device

著者

和文:	B. J. Hinds, K. Nishiguchi, A. Dutta, T. Yamanaka, S. Hatatani, S. Oda.
英文:	B. J. Hinds, K. Nishiguchi, A. Dutta, T. Yamanaka, S. Hatatani, S. Oda.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Japanese Journal of Applied Physics

巻, 号, ページ

Vol. 39 No. 7B pp. 4637-4641

出版年月

2000年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文: