Memory operations of 1T2C-type ferroelectric memory cell with excellent data retention characteristics

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Memory operations of 1T2C-type ferroelectric memory cell with excellent data retention characteristics

著者

和文:	S-M.Yoon, H.Ishiwara.
英文:	S-M.Yoon, H.Ishiwara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	IEEE Trans. on Electron Devices

巻, 号, ページ

Vol. 48 No. 9 pp. 2002-2008

出版年月

2001年

出版者

和文:
英文:

会議名称

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開催地

和文:
英文: