MOVPE法によるSiO2基板上へのGaN系結晶の成長(III)-ヘテロ構造の成長

論文・著書情報

タイトル

和文:	MOVPE法によるSiO2基板上へのGaN系結晶の成長(III)-ヘテロ構造の成長
英文:	GaN-based Crystal Growth on SiO2 substrate by MOVPE (III) -Growth of Hetero-Structure-

著者

和文:	森口雄一郎, 宮本智之, 坂口孝浩, 岩田雅年, 内田慶彦, 小山二三夫, 伊賀健一.
英文:	森口雄一郎, 宮本智之, 坂口孝浩, 岩田雅年, 内田慶彦, 小山二三夫, 伊賀健一.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	2000年春季第47回応用物理学関連連合講演会
英文:	Extended Abstracts (The 47th Spring Meeting) of Jpn. Soc. Appl. Phys.

巻, 号, ページ

Vol. 1 No. 28p-YN-4 pp. 346

出版年月

2000年3月

出版者

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会議名称

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開催地

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