Quantum Confinement Polarization Model for Lifetime of Discrete Charge Stored  in Single Nano-crystalline Si Dot Floating-Gate Memory

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Quantum Confinement Polarization Model for Lifetime of Discrete Charge Stored in Single Nano-crystalline Si Dot Floating-Gate Memory

著者

和文:	B. J. Hinds, T.Yamanaka, S.Huang, R.Nakamura, S.Oda.
英文:	B. J. Hinds, T.Yamanaka, S.Huang, R.Nakamura, S.Oda.

言語

English

掲載誌/書名

和文:	第48回応用物理学関係連合講演会
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2001年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
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