Simulation of an SRAM cell using co-integration of fluoride-based resonant tunneling diodes and Si- MOSFET

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Simulation of an SRAM cell using co-integration of fluoride-based resonant tunneling diodes and Si- MOSFET

著者

和文:	Patrick Le Maitre, Toshiaki Terayama, 筒井一生.
英文:	Patrick Le Maitre, Toshiaki Terayama, Kazuo Tsutsui.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2001年6月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2001 Silicon Nanoelectronics Workshop

開催地

和文:
英文:	Kyoto