Selective Area Growth of GaN Nanopillars on AlGaN/SiC(0001) by Gas Source Molecular Beam Epitaxy

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Selective Area Growth of GaN Nanopillars on AlGaN/SiC(0001) by Gas Source Molecular Beam Epitaxy

著者

和文:	Koji Kawasaki, Ikuo Nakamatsu, Kazuo Tsutsui, Yoshinobu Aoyagi.
英文:	Koji Kawasaki, Ikuo Nakamatsu, Kazuo Tsutsui, Yoshinobu Aoyagi.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Abstarct of the Fourth International Conference on Nitride Semiconductors, Denver. Colorado USA, July 16-20,2001

巻, 号, ページ

Vol. B11.4 pp. 93

出版年月

2001年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
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開催地

和文:
英文: