Memory effect in ferroelectric-gate field effect transistors using 0.1μm-thick silicon-on-insulator substrates

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Memory effect in ferroelectric-gate field effect transistors using 0.1μm-thick silicon-on-insulator substrates

著者

和文:	K.Aizawa, H.Ishiwara.
英文:	K.Aizawa, H.Ishiwara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	10th Intern. Meeting on Ferroelectrics, Madrid

巻, 号, ページ

No. PS2C-54 pp. 142

出版年月

2001年

出版者

和文:
英文:

会議名称

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開催地

和文:
英文: