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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Ferroelectric capacitor model for circuit simulation of FeRAM 
著者
和文: T.Tamura, Y.Arimoto, H.Ishiwara.  
英文: T.Tamura, Y.Arimoto, H.Ishiwara.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:1st Intern. Meeting on Ferroelectric Random Access Memories, Gotemba 
巻, 号, ページ     No. P20    pp. 116-117
出版年月 2001年 
出版者
和文: 
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会議名称
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開催地
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英文: 

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