Low leakage La<sub>2</sub>O<sub>3</sub> gate insulator film with EOT of 0.8-1.2nm

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Low leakage La₂O₃ gate insulator film with EOT of 0.8-1.2nm

著者

和文:	S.Ohmi, C.Kobayashi, E.Tokumitsu, H.Ishiwara, H.Iwai.
英文:	S.Ohmi, C.Kobayashi, E.Tokumitsu, H.Ishiwara, H.Iwai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	2001 Intern. Conf. on Solid State Devies and Materials, Tokyo

巻, 号, ページ

No. B-9-1 pp. 496-497

出版年月

2001年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
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開催地

和文:
英文: