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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Origin of the nonradiative <1120> line defect in lateral epitaxy-grown GaN on SiC substrates 
著者
和文: P.Hacke, K.domen, A.Kuromata, T.Tanahashi, O.Ueda.  
英文: P.Hacke, K.domen, A.Kuromata, T.Tanahashi, O.Ueda.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Applied Physics Letters 
巻, 号, ページ Vol. 76    No. 18    pp. 2547-2549
出版年月 2000年 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
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開催地
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英文: 

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