Direct growth og GaN layers on 6H-SiC(0001) substrates by the concept of the nucleation density control

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Direct growth og GaN layers on 6H-SiC(0001) substrates by the concept of the nucleation density control

著者

和文:	Takeuchi M., Hirayama H., Aoyagi Y..
英文:	Takeuchi M., Hirayama H., Aoyagi Y..

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	4th Int. Conf. on Nitride Semiconductors (ICNS-4),(Materials Research Society), Denver, USA

巻, 号, ページ

出版年月

2001年

出版者

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会議名称

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開催地

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