MOVPE法によるSiO<sub>&lt;small&gt;2&lt;/small&gt;</sub>基板上へのGaN系結晶の成長(II)-InGaNの結晶成長と特性

論文・著書情報

タイトル

和文:	MOVPE法によるSiO_{<small>2</small>}基板上へのGaN系結晶の成長(II)-InGaNの結晶成長と特性
英文:	GaN-based crystal growth on SiO_{<small>2</small>} substrate by MOVPE (II) - growth and characterization of InGaN -

著者

和文:	森口雄一郎, 宮本智之, 坂口孝浩, 井上彰, 岩田雅年, 内田慶彦, 小山二三夫, 伊賀健一.
英文:	森口雄一郎, Tomoyuki Miyamoto, Takahiro Sakaguchi, 井上彰, 岩田雅年, 内田慶彦, FUMIO KOYAMA, Kenichi Iga.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

1999年3月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第46回応用物理学関連連合講演会
英文:	The 46th Spring Meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies

開催地

和文:	千葉
英文:	Chiba