GaN系発光デバイスのためのAlNを用いる電流狭窄構造の検討

論文・著書情報

タイトル

和文:	GaN系発光デバイスのためのAlNを用いる電流狭窄構造の検討
英文:	Current confinement structure using AlN selective growth for GaN devices

著者

和文:	内田慶彦, 坂口孝浩, 井上彰, 岩田雅年, 森口雄一郎, 小山二三夫, 伊賀健一.
英文:	内田慶彦, 坂口孝浩, 井上彰, 岩田雅年, 森口雄一郎, FUMIO KOYAMA, Kenichi Iga.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

30p-M-11

出版年月

1999年3月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第46回応用物理学関連連合講演会
英文:	The 46th Spring Meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies

開催地

和文:	千葉
英文:	Chiba