Si基板上への高誘電率Pr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜の形成条件に関する検討 | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	Si基板上への高誘電率Pr₂O₃薄膜の形成条件に関する検討
英文:

著者

和文:	佐藤航一郎, 大見俊一郎, 石原宏, 岩井洋.
英文:	佐藤航一郎, 大見俊一郎, 石原宏, 岩井洋.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	第49回応用物理学関係連合講演会　講演予稿集
英文:

巻, 号, ページ

Vol. 2 pp. 795

出版年月

2002年

出版者

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会議名称

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開催地

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英文:

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