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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Electrical characteristics of rare earth gate oxides improved by chemical oxide and long low temperature annealing 
著者
和文: S.Ohmi, I.Kashiwagi, C.Ohshima, J.Taguchi, H.Yamamoto, J.Tonotani, H.Ishiwara, H.Iwai.  
英文: S.Ohmi, I.Kashiwagi, C.Ohshima, J.Taguchi, H.Yamamoto, J.Tonotani, H.Ishiwara, H.Iwai.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:2002 Intern. Conf. on Solid State Devices and Materials, Nagoya 
巻, 号, ページ     No. B-7-4   
出版年月 2002年 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
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開催地
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英文: 

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