Growth Mechanism during Si Epitaxy by Photo Chemical Vapor Deposition at Low Temperatures

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Growth Mechanism during Si Epitaxy by Photo Chemical Vapor Deposition at Low Temperatures

著者

和文:	Katsuya Abe, Tatsuro Watahiki, Akira Yamada, Makoto Konagai.
英文:	Katsuya Abe, Tatsuro Watahiki, Akira Yamada, Makoto Konagai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Jpn. J. Appl. Phys

巻, 号, ページ

Vol. 38 pp. 3622

出版年月

1999年

出版者

和文:
英文:

会議名称

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開催地

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英文: