ホットワイヤーセル法による歪Si<sub>1-y</sub>C<sub>y</sub>薄膜の低温エピタキシャル成長およびMOSデバイスへの応用 | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	ホットワイヤーセル法による歪Si_1-yC_y薄膜の低温エピタキシャル成長およびMOSデバイスへの応用
英文:

著者

和文:	綿引達郎, 金井崇紘, 石原英恵, 阿部克也, 山田明, 小長井.
英文:	綿引達郎, 金井崇紘, 石原英恵, 阿部克也, 山田明, 小長井.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	第63回応用物理学関係連合講演会
英文:

巻, 号, ページ

Vol. 26a-P11-15

出版年月

2002年

出版者

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会議名称

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開催地

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英文:

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