Effect of surface treatment of Si substrates and annealing condition on high-k rare earth oxide gate dielectrics

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Effect of surface treatment of Si substrates and annealing condition on high-k rare earth oxide gate dielectrics

著者

和文:	C. Ohshima, J. Taguchi, I. Kashiwagi, H. Yamamoto, S. Ohmi, H. Iwai.
英文:	C. Ohshima, J. Taguchi, I. Kashiwagi, H. Yamamoto, S. Ohmi, H. Iwai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Appl. Surf. Sci.

巻, 号, ページ

Vol. 216 pp. 302-306

出版年月

2003年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

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DOI