A Proposal of Multi-Layer Channel MOSFET:The Application of Selective Etching for Si/Ge Stacked Layers

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	A Proposal of Multi-Layer Channel MOSFET:The Application of Selective Etching for Si/Ge Stacked Layers

著者

和文:	Tetsushi Sakai, S. Ohmi, D. Sasaki, M. Sakuraba, J. Murota.
英文:	Tetsushi Sakai, S. Ohmi, D. Sasaki, M. Sakuraba, J. Murota.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Abstracts of First Internatinal SiGe Technology and Device Meeting(ISTDM)

巻, 号, ページ

pp. 31-32

出版年月

2003年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
英文: