Al2O3/Si3N4 stacked insulators for 0.1μm gate metal-oxide-semiconductor transistors realized by high-density Si3N4 buffer layers

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Al₂O₃/Si₃N₄ stacked insulators for 0.1μm gate metal-oxide-semiconductor transistors realized by high-density Si₃N₄ buffer layers

著者

和文:	Y.Fujisaki, K.Iseki, H.Ishiwara, M.Mao, R.Bubber.
英文:	Y.Fujisaki, K.Iseki, H.Ishiwara, M.Mao, R.Bubber.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Appl. Phys. Lett.

巻, 号, ページ

Vol. 82 No. 22 pp. 3931-3933

出版年月

2003年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
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