A narrow-channel few-electron-memory with nanocrystalline Si dots as floating gate: Evidencee of electron trapping and emission

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	A narrow-channel few-electron-memory with nanocrystalline Si dots as floating gate: Evidencee of electron trapping and emission

著者

和文:	S. Banerjee, S. Y. Huang, S. Oda.
英文:	S. Banerjee, S. Y. Huang, S. Oda.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	IEEE Transactions on Nanotechnology

巻, 号, ページ

Vol. 2 (2) pp. 88-92

出版年月

2003年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

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